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芯塔電子第二代TOPSiC^TM MOSFET產品具有高擊穿電壓、高抗干擾能力、高可靠性、低反向漏電流、低米勒電容、低優值因子（Q_GD*R_DS）以及高溫下更低導通電阻等優勢。TM2G0080120JA型號已通過權威第三方AEC-Q101車規級認證及HV-H3TRB加嚴可靠性考核。